ROHM y Toshiba invertirán USD 2.700 millones en incrementar producción de semiconductores en Japón
Las empresas también buscarán contribuir en el fortalecimiento de la resiliencia de las cadenas de suministro de semiconductores en Japón
Las empresas japonesas ROHM Co., Ltd. y Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation anunciaron este viernes un plan para colaborar en la fabricación y aumentar el volumen de producción de dispositivos eléctricos.
En una declaración conjunta, ambas empresas informaron que el plan contará con el respaldo de Ministerio de Economía, Comercio e Industria de Japón como medida de apoyo al objetivo del Gobierno japonés de lograr un suministro seguro y estable de semiconductores.
ROHM y Toshiba realizarán, respectivamente, inversiones intensivas en dispositivos de energía de carburo de silicio (SiC) y silicio (Si), mejorarán de manera efectiva sus capacidades de suministro y utilizarán de manera complementaria la capacidad de producción de otras partes.
ROHM ya anunció su participación en la privatización de Toshiba, pero esta inversión no ha servido como punto de partida para la colaboración manufacturera entre las dos empresas.
En un contexto de competencia internacional cada vez más intensa en la industria de los semiconductores, ROHM y Toshiba llevan ya tiempo considerando colaborar en el negocio de dispositivos de potencia, y de ahí surgió la solicitud conjunta.
ROHM y Toshiba colaborarán en la fabricación de dispositivos de energía a través de inversiones intensivas en dispositivos de energía de SiC y Si, respectivamente, para mejorar la competitividad internacional de ambas compañías.
Las empresas también buscarán contribuir en el fortalecimiento de la resiliencia de las cadenas de suministro de semiconductores en Japón.
ROHM y LAPIS invertirán 289,2 mil millones de yenes, mientras que Toshiba y Kaga Toshiba contribuirán con 99.100 millones.
Los dispositivos de potencia de SiC y obleas de SiC de producirán en la planta número 2 de LAPIS Semiconductor en la prefectura de Miyazaki, mientras que los dispositivos de potencia Si se fabricarán en las instalaciones de Kaga Toshiba.
